針對相控陣雷達T/R組件供電專項設(shè)計，可實現(xiàn)微秒級動態(tài)響應(yīng)，顛覆傳統(tǒng)的依靠大容量輸出電容儲能供電方式，減少儲能電容95%以上，陣面組件體積、功耗整體可減少40%以上。
負載條件為：100A/2ms/30%占空比，使用1kW全磚模塊，需要的輸出電容約為164mF
負載條件為：100A/2ms/30%占空比，輸出電容僅需提供動態(tài)響應(yīng)過程中所需能量，約為3mF
300VDC(255VDC-345VDC)
36V
180A
≤1ms
≤30%
≤100μs
6.5KW
≥3.3
226×112×30mm
300VDC(255VDC-345VDC)
28V
25A
≤250μs
≤30%
≤40μs
0.7KW
≥3.3
90×78×14.5mm(含射頻過橋線）
500VDC(420VDC-580VDC)
28V
100A
≤2ms
≤30%
≤80μs
2.8KW
≥3.3
190×100×10mm(不含散熱部分）
550VDC(495VDC-605VDC)
36V
150A
≤3ms
≤30%
≤100μs
5.4KW
≥3.3
270×120×16.7mm(不含散熱部分）
48VDC(42VDC-54VDC)
36V
32A
≤1.5ms
≤25%
≤100μs
1.7KW
≥3.4
200×50×30mm
500VDC(420VDC-580VDC)
兩路輸出：40V/28V
兩路輸出：23A/7A
≤300μs
≤20%
≤100μs
1.1KW
≥5
170×130×15mm（不含信號連接器）
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